40nm工艺制造，优化功耗；
总频带宽度为9KHz~12MHz；
2M Flash，512K RAM，内存最高可达8MB； 
涵盖表端应用的V6201B(QFN68)、V6201R(QFN52)；
集中器端应用的V6211C(LQFP128)；